对待工作，态度认真严谨，有较强的责任心，能够吃苦耐劳，乐于接受新事物，同时注重团队合作，执行力强。性格方面，乐观开朗，积极向上，待人随和，适应环境能力强。
项目描述：释放机台真空腔体与大气环境无buffer腔缓冲，受大气影响工艺波动大，且受CF4释放工艺特性（去除polymer）限制，在线难以直接有QC监控；CF4释放速率快会导致刻蚀结构中的SIN&TI的loss量多，导致RSVOUT坏图，RV高等失效；释放速率慢会导致Polymer残留，造成麻点失效；即需解决因CF4释放工艺波动导致的RV波动问题，因CF4释放工序产生的坏图和麻点失效，成测良率提升10%以上。
项目职责
1.对QC进行不同温度的拉偏，分析可得130℃内对Ti的刻蚀速率较小且稳定，可用作低温温度范围。
2.对3812先行CF4低温温度拉偏验证，CF4低温释放可通过降低对TI的ER减少对PAS TI的刻蚀，能够将PI释放后的残留Polymer去除干净，并能明显改善坏图，最终选择100℃进行验证。
项目业绩
1.导入CF4释放低温新工艺，实现工艺窗口扩大化，稳定释放工艺。
2.解决因释放带来的麻点、坏图失效，各产品成测良率提升约9%-24%。
3.明确Dummy & QC规则规范并更新SOP实施。
项目描述：CAP刻蚀后发现CP PAD发黑，显检下看是TIN已经被刻蚀掉，CD下则是表面留下零星的不规则的TIN，另外部分AL露出来后被后腐蚀，造成外观比较粗糙，产生发黑现象。即需改善CP PAD发黑问题，减少因此产生的封装不良。
项目职责：
1.将刻蚀由时间控制改为终点控制，有效的改善了因过刻导致的CP PAD发黑问题。
2.负责调试PAS2刻蚀菜单，解决静电吸附问题。
3.负责调试DPS C腔去胶菜单。
4.负责调试PAS2清洗菜单，改善因后腐蚀导致的CP PAD发黑问题。
项目业绩：
1.有效的解决了CP PAD发黑问题，全线导入CAP刻蚀终点控制菜单。
2.在DPS调试出PAS2刻蚀和去胶的菜单，使得刻蚀和去胶均可在DPS中完成，减少与空气接触引起的后腐蚀，减少了因此而产生的封装不良。
